Warning: Table './d1394_drupal/cache' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: SELECT data, created, headers, expire, serialized FROM cache WHERE cid = 'variables' in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc on line 136

Warning: Table './d1394_drupal/cache' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: UPDATE cache SET data = 'a:996:{s:13:\"theme_default\";s:5:\"fever\";s:13:\"filter_html_1\";s:1:\"1\";s:18:\"node_options_forum\";a:1:{i:0;s:6:\"status\";}s:18:\"drupal_private_key\";s:64:\"5fe6eae150af4e56112c001190001c50f30fff335724864ea3d95df181c7224f\";s:10:\"menu_masks\";a:30:{i:0;i:127;i:1;i:125;i:2;i:63;i:3;i:62;i:4;i:61;i:5;i:60;i:6;i:59;i:7;i:58;i:8;i:57;i:9;i:56;i:10;i:31;i:11;i:30;i:12;i:29;i:13;i:28;i:14;i:25;i:15;i:24;i:16;i:22;i:17;i:21;i:18;i:15;i:19;i:14;i:20;i:13;i:21;i:12;i:22;i:11;i:23;i:7;i:24;i:6;i:25;i:5;i:26;i:4;i:27;i:3;i:28;i:2;i:29;i:1;}s:12:\"install_task\";s:4:\"done\";s:13:\"menu_expanded\";a:1:{i:0;s:9:\"menu-user\";}s:9:\"site_name\";s:5:\"FLOPS\";s:19:\"file_directory_temp\";s:23:\"sites/default/files/tmp\&quo in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc on line 136

Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc:136) in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/bootstrap.inc on line 726

Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc:136) in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/bootstrap.inc on line 727

Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc:136) in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/bootstrap.inc on line 728

Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/database.mysql.inc:136) in /data/web/virtuals/1394/virtual/www/includes/bootstrap.inc on line 729
Intel bude k výrobě polovodičů používat 3D tranzistory Tri-Gate | FLOPS

Intel bude k výrobě polovodičů používat 3D tranzistory Tri-Gate

Obory článku
hardware, procesory
Zmiňované firmy
Intel

Intel dnes představil nový tranzistor pro výrobu polovidičů, který udajně vůbec poprvé od vynálezu křemíkového tranzistoru před více než 50 lety přinese do výroby trojrozměrnou strukturu. Intel zavede revoluční 3D tranzistor zvaný Tri-Gate, jehož základní obrysy byly poprvé představeny v roce 2002, do masové výroby ve své 22 nm výrobní technologii v čipu, jenž je zatím kódově označován jako Ivy Bridge.

Díky těmto „trojrozměrným“ tranzistorům Tri-Gate tak mohou procesory fungovat při nižším napětí s nižším únikem energie, takže oproti předchozím procesorům nabízejí lepší kombinaci energetické účinnosti a výkonu. To poskytuje zvláštní flexibilitu konstruktérům čipů, kteří si mohou vybírat tranzistory určené pro nízkou spotřebu anebo naopak vysoký výkon – vše podle typu aplikace. Navíc 22 nm Tri-Gate tranzistory oproti High-k / Metal Gate tranzistorům na 32 nm dle Intelu přinesou nárůst výkonu o 37 procent při nízkém napětí.

U tranzistorů vytvořených technologií Tri-Gate jsou klasické ploché tranzistory nahrazeny tenkou trojrozměrnou křemíkovou vrstvou, jež vertikálně vystupuje z křemíkového substrátu. Kontrola proudu je zajištěna na každé ze tří stran zmíněné vrstvy – po obou stranách a nahoře namísto pouhé jedné horizontální plochy hradla, jako je tomu u laterální technologie. Dodatečný tranzistor umožňuje maximální tok proudu při požadovaném vysokém výkonu a naopak téměř nulový tok v případě, že výkon očekáván není. Díky tomu se podařilo výrazně snížit spotřebu a tranzistor dokáže velice rychle přecházet mezi dvěma výše zmíněnými stavy, což opět vede k vyššímu výkonu.

Jak je na obrázku patrné, v principu se nejedná o 3D, ale o to, že přechod PN je řízen nejen ve své laterální vrstvě, ale je to možné i na jeho stranách. Při zvládnutí tohoto procesu se tak plocha hradla zvětší, přičemž přechodů jednoho tranzistoru může být několik, a sepnutý stav je i při těchto pidivelikostech stabilní a umožňuje i relativně velké proudové přenosy. To znamená, že čím více bude u TriGate plocha přechodu mezi strukturou P a N proudově namáhána, tím větší počet přechodů musí být vytvořen – a zbývá dodat že i uřízen.

  

Velmi stručně shrnuto – celý problém přechodu na menší technologie není ve velikosti litografie, leptání, napařování a přesnosti, ale hlavně jak technologicky docílit toho, aby tranzistor měl i při nízkých napětích a malém PN přechodu stabilní sepnutý stav a dostatečnou proudovou zatižitelnost. Tedy ne jen to, ale aspoň takhle zhruba.

Ne náhodou se totiž při použití běžné technologie aplikované na 22 nm v reálné praxi zjistilo, že maximální možné rychlosti nejdou ruku v ruce se stabilitou a hlavně životností takového polovodiče oproti relativně horší technologii s širším hradlem. No a začal dodatečný výzkum – či spíše ne dodatečný, ale prostě se vědělo, že takhle to dál již nepůjde. A jednou z možností je přechod na Tri-Gate.

Zdroj: Intel [ 1 ], [ 2 ]

Komentáře

Poslat nový komentář

CAPTCHA
Antispamová kontrola
tep_ota: